激光加熱基座晶體生長爐（LHPG）具有無坩堝、無污染、溫度梯度大、生長速度快、適合生長高熔點的高質量晶體等*勢。

微波等離子化學氣相沉積技術（MPCVD）制造的微波等離子化學氣相沉積系統, 通過等離子增加前驅體的反應速率，降低反應溫度。適合制備面積大、均勻性好、純度高、結晶形態好的高質量硬質薄膜和晶體。

近年來直流型SPS加工技術（Direct Current Sintering）得到廣泛的研究和推廣，這種新型的SPS技術采用直流電源系統，簡化了系統的復雜性，同時也大大降低了硬件成本。另外相較于脈沖電流，直流電源系統可以無間斷的在樣品內產生內熱，因此大大的壓縮了加工時間。TT公司制造出新型SPS技術-直流型等離子燒結（DCS），并得到了各地用戶的青睞和認可新型SPS

德國SciDre公司推出的高壓氧氣氛退火爐溫度可達850°C，壓力可達150個大氣壓?？捎糜诟邏壕w生長的料棒前處理。也可用于含氧晶體的高溫退火處理。

四電弧高溫單晶生長爐是電弧加熱的高溫材料合成方法，非常適合生長化學性質活躍但熔點高（般在3000攝氏度左右）的金屬間化合物，包括含有稀土元素（或者金屬鈾）的二元及四元金屬間化合物等合金單晶。